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IRF5210PBF  与  SPP15P10P H  区别

型号 IRF5210PBF SPP15P10P H
唯样编号 A-IRF5210PBF A-SPP15P10P H
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@24A,10V 240mΩ
上升时间 - 23ns
Qg-栅极电荷 - 37nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 9.3S
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 40A 15A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 16ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 128W
典型关闭延迟时间 - 33ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® SPP15P10
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 9.5ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF5210PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRF5210 Infineon  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
SPP15P10P H Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP15P10PHXKSA1_10mm

暂无价格 0 对比

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